16.11.2016 r.,  godz.10:45 - 12:00

WYKŁAD 107:
Azotek galu GaN - półprzewodnik XXI wieku

Prof. dr hab. Sylwester Porowski

Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk "UNIPRESS" Z-ca dyrektora ds. nowych technologii) ul. Sokołowska 29/37, 01-142 Warszawa

Film:

 

Streszczenie:

W prognozach głównych trendów rozwoju technologicznego i cywilizacyjnego w XXI wieku przewiduje się, że azotek galu (GaN), który jest stosunkowo nowym półprzewodnikiem, może odegrać rolę porównywalną z tą, jaką odegrał krzem w drugiej połowie XX wieku i bez którego trudno by było wyobrazić sobie obecnie funkcjonowanie świata. Nagroda Nobla z fizyki w 2014 r. dla I. Akasaki, H. Amano i S. Nakamury za skonstruowanie z GaN wydajnej diody emitującej światło niebieskie (blue LED) potwierdza trafność tych trendów. Wynalazek Noblistów pozwolił na dramatyczne zwiększenie efektywności zamiany energii elektrycznej na światło, co według szacunków amerykańskiego Departamentu Energii już w 2030 doprowadzi do zmniejszenia zużycia energii na oświetlenie w USA prawie o połowę.

Na świecie badania azotku galu rozwijają się niezwykle dynamicznie i wiadomo już, że rewolucja w oświetleniu spowodowana wynalazkiem Noblistów jest dopiero początkiem przyszłych zastosowań tego półprzewodnika.

Dlaczego jednak sukces tego półprzewodnika przyszedł tak późno? Które z jego własności o tym zadecydowały? Czy jest podobny do innych półprzewodników AIII BV, czy też jest w nim jakaś tajemnica, która przez ponad 40 lat była barierą w praktycznym jego wykorzystaniu? Jakie to były bariery i jak zostały przełamane?

W Polsce badania w tych dziedzinach rozwijają się bardzo intensywnie. Badania naukowe w zakresie fizyki i technologii tego stosunkowo nowego półprzewodnika są już obecnie prowadzone w 11 instytucjach naukowych. Powstały dwie firmy Ammono S. A. i TopGaN Sp. z o. o. prowadzące produkcję doświadczalną monokrystalicznych podłoży GaN oraz laserów niebieskich. Polska należy do elitarnej grupy krajów posiadających kompletną technologię produkcji niebieskich laserów (Japonia, Niemcy, USA, Polska).

W prezentacji omówione zostaną niektóre wyniki polskich badań w dziedzinie w dziedzinie GaN oraz szanse na ich praktyczne wykorzystanie.

Sylwetka:

Prof. dr hab. Sylwester Porowski urodził się w 1938 r. w Bierzynie. Jest fizykiem specjalizującym się w fizyce ciała stałego. W 1960 roku ukończył fizykę na Uniwersytecie Warszawskim, następnie w Instytucie Fizyki PAN obronił pracę doktorską (1965) oraz rozprawę habilitacyjną (1972). W 1978 roku otrzymał tytuł profesora. W latach 1964-1972 kierował Laboratorium Ciśnieniowych Badań Półprzewodników Instytutu Fizyki PAN, które w 1972 r. przekształciło się w Laboratorium Fizyki i Technologii Wysokich Ciśnień „Unipress” PAN. Od początku do 2010 r. kierował tą placówką (od 2004 r. posiada ona status Instytutu Wysokich Ciśnień PAN). Obecnie pełni w nim funkcję zastępcy dyrektora ds. nowych technologii. Prace badawcze prowadził także za granicą; był związany m.in. z Uniwersytetem Harvarda (1967-69), oraz z Uniwersytetem Montpellier (od 1978). Jest członkiem Polskiego Towarzystwa Fizycznego, European Physical Society oraz Światowej Organizacji Fizyki i Technologii Wysokich Ciśnień AIRAPT, której przewodniczył w latach 1999 – 2003. W 2002 r. otrzymał nagrodę Prezydenta RP za najlepszy wynalazek w dziedzinie produktu lub technologii (za niebieski laser na monokrysztale GaN). Profesor Porowski opublikował 399 artykułów naukowych cytowanych 7314 razy z indeksem Hirscha – 44. Prof. Sylwester Porowski otrzymał Nagrodę Fundacji na rzecz Nauki Polskiej w 2013 r. w obszarze nauk chemicznych i o materiałach za opracowanie wysokociśnieniowej metody otrzymywania monokryształu azotku galu.

Zgłoszenia przyjmujemy
wyłącznie poprzez formularz zapisów.

Przypominamy, że nie przyjmujemy
zgłoszeń przez telefon ani e-mail.

WYKŁADY OTWARTE 2016-2017

KALENDARZ WYKŁADÓW OTWARTYCH 2016/2017

« Maj 2017 »
Pn Wt Śr Czw Pt Sb Nie
1 2 3 4 5 6 7
8 9 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31        
Początek strony